[发明专利]薄膜晶体管面板的制造方法有效
| 申请号： | 200610162174.3 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101197331A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 彭成鑑;戴远东 | 申请（专利权）人： | 广富群光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管面板的制造方法，包含下列步骤：形成n型磊晶层于p型硅晶圆正面；形成薄膜晶体管结构以及透明电极于磊晶层内部与上表面；接合透明基板于硅晶圆正面；湿蚀刻该硅晶圆并以电化学蚀刻停止方式，除去硅晶圆并留下磊晶层；形成透明绝缘层于磊晶层下表面；蚀刻磊晶层曝露出透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：提供一硅晶圆，该硅晶圆为p型半导体材料；形成一磊晶层于该硅晶圆正面，该磊晶层为n型半导体材料；以该磊晶层为导电通道形成多数个薄膜晶体管结构以及对应该多数薄膜晶体管结构的多数个透明电极；接合一透明基板于该硅晶圆正面；除去该硅晶圆；形成一透明绝缘层于该磊晶层下表面；及蚀刻曝露出该透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
