[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610162232.2 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1979818A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金田哲弥;梅川真一;寺田浩二;高桥泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/60;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有形成在其中的电路元件的半导体衬底和在所述半导体衬底上形成的绝缘保护膜。羟基(OH)被连接到所述保护膜的表面。结果使得所述保护膜的表面与水滴之间的接触角小于或等于40度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有形成在其中的电路元件的半导体衬底；和形成在所述半导体衬底上的绝缘保护膜，其中，所述保护膜的表面与水滴之间的接触角小于或等于40度。
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