[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610162258.7 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101030558A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李昌九 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极材料；蚀刻栅极材料以形成栅极图案，每一个栅极图案包括保留在衬底上的部分栅极材料；在接触位线的部分衬底上实施晕圈离子注入过程；形成栅极图案的侧壁隔离物；和采用侧壁隔离物作为掩模蚀刻保留的部分栅极材料以暴露衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极材料；蚀刻栅极材料以形成栅极图案，每一个所述栅极图案包括保留在衬底上的部分栅极材料；在位线接触的部分衬底上实施晕圈离子注入过程；形成栅极图案的侧壁隔离物；和利用侧壁隔离物作为掩模蚀刻保留的部分栅极材料以暴露衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
