[发明专利]非易失性半导体存储器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610162405.0 申请日: 2006-11-22
公开(公告)号: CN1971918A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 儿玉典昭 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种非易失性半导体存储器,包括多个存储单元,每个存储单元包括:漏极,形成在衬底上;源极,形成在衬底中的凹槽底部;浮置栅极,形成在漏极与凹槽侧面之间的衬底的上面;以及控制栅极,形成在浮置栅极的上面相邻存储单元共享凹槽;凹槽的侧面实质上与浮置栅极的侧端部对准,并且凹槽中填充有绝缘膜。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储器,包括多个存储单元,每个存储单元包括:漏极,形成在衬底上;源极,形成在衬底中的凹槽底部;存储节点,形成在漏极与凹槽侧面之间的衬底的上面;以及控制栅极,形成在存储节点的上面,其中相邻存储单元共享凹槽,凹槽的侧面实质上与存储节点的侧端部对准,以及凹槽中填充有绝缘膜。
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