[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610162457.8 | 申请日： | 2001-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1971970A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32;H01L27/15;H01L27/12;G02F1/1335;G02F1/1362;H05B33/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供利用塑料支撑件(包括塑料膜和塑料基板)制造高性能电器件的技术。本发明的特征在于，在具有比塑料和两者间的底层膜更好的耐热性带有分离层的基板上，形成了发光器件需要的元件后，利用室温下的工艺，从具有更好耐热性的基板上将元件和底层膜转移到其上具有塑料滤色器的支撑件上。利用粘附层，将滤色器附着到元件的底层膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：设在基板上的滤色器；设在所述基板和所述滤色器上的粘附层；设在所述粘附层上的绝缘膜；以及设在所述绝缘膜上的发光元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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