[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610162542.4 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1983626A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 三田惠司;大家健太郎 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/082;H01L21/331;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，具有难以同时满足功率半导体元件的耐压特性和控制半导体元件的装置尺寸小型化的问题。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(3)上形成N型外延层(4)。在基板(3)和外延层(4)上，N型埋入扩散层(9)形成于P型埋入扩散层(6)上。通过这样的结构，能够抑制P型埋入扩散层(6)的爬升，在维持功率半导体元件的耐压特性的同时，能够减薄外延层(4)的厚度。进而，能够将控制用半导体元件的装置尺寸小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板；所述半导体基板上形成的逆导电型外延层；跨越所述半导体基板和所述外延层而形成、作为集电极区域使用的一导电型第一埋入扩散层；跨越所述半导体基板和所述外延层而形成、将所述半导体基板和所述一导电型第一埋入扩散层结分离的逆导电型第一埋入扩散层；使所述一导电型第一埋入扩散层与其形成区域重叠、至少从所述一导电型第一埋入扩散层的上面爬升的逆导电型第二埋入扩散层；从所述外延层表面形成、作为基极区域使用的逆导电型扩散层；从所述外延层表面形成、作为集电极区域使用的一导电型第一扩散层；以及形成于所述逆导电型扩散层上、作为发射极区域使用的一导电型第二扩散层。
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