[发明专利]电阻器元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610162545.8 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1975988A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 永井隆行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/86;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻器元件及其制造方法。制造本发明的电阻元件的方法包括：(A)在基板(10)上形成其顶层是多晶硅层(30，32)的多晶硅结构(50)；(B)在多晶硅层(30，32)上形成金属层(70)；(C)在金属层(70)上形成上阻挡层(42)；和(D)在工艺(C)之后，通过多晶硅层(30，32)和金属层(70)之间的反应，从而形成其表面(S80)被上阻挡层(42)覆盖的硅化物层(80)。根据本发明，能抑制半导体器件的电阻器元件的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电阻器元件的方法，包括：(A)在基板上形成多晶硅结构，该多晶硅结构的顶层是多晶硅层；(B)在所述的多晶硅层上形成金属层；(C)在所述的金属层上形成上阻挡层；和(D)在所述工艺(C)之后，通过所述多晶硅层和所述金属层之间的反应，形成硅化物层，所述硅化物层的上表面被所述上阻挡层所覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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