[发明专利]ESD保护元件无效
| 申请号： | 200610162565.5 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1976028A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 井上智树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种ESD保护元件，其特征在于，具备：第第1导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第1主表面上的输入信号电极；形成在所述半导体衬底的第2主表面的表面区域上的第2导电型基极区域；有选择地形成在所述第1导电型半导体衬底的所述第2导电型基极区域的表面区域上的第1导电型扩散区域；形成在所述第1导电型半导体衬底的第2主表面上、与所述第1导电型扩散区域电连接的电阻层；与所述第1导电型扩散区域电连接的信号输出电极；以及与所述电阻层电连接的接地电极。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 元件 | ||
【主权项】：
1.一种ESD保护元件，其特征在于，具备：第1导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第1主表面上的输入信号电极；形成在所述半导体衬底的第2主表面的表面区域上的第2导电型基极区域；有选择地形成在所述第1导电型半导体衬底的所述第2导电型基极区域的表面区域上的第1导电型扩散区域；形成在所述第1导电型半导体衬底的第2主表面上、与所述第1导电型扩散区域电连接的电阻层；与所述第1导电型扩散区域电连接的信号输出电极；以及与所述电阻层电连接的接地电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
