[发明专利]用电介质材料形成隔离沟槽的方法无效
| 申请号： | 200610162746.8 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1979799A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | U·维尔豪森;H·海德梅耶;J·里古尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范晓斌;杨松龄 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用电介质材料形成半导体器件的隔离沟槽的方法，并且涉及形成存储器件中的隔离沟槽的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用电 介质 材料 形成 隔离 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用电介质材料形成半导体器件的隔离沟槽的方法，包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽；在衬底中形成孔，该孔直接相邻于该沟槽并通过一开口面与沟槽连接；用牺牲材料填充该孔，并且该孔中提供一空间，该空间具有通向该沟槽的开口面；在沟槽中和该孔的该空间中沉积电介质材料；去除该孔中的牺牲材料；和固化该电介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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