[发明专利]衬底、曝露衬底的方法和机器可读媒体无效
| 申请号： | 200610162747.2 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1952790A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | A·C·－H·陈 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;G03F7/039;G03F7/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 这里给出了一种用于在光刻系统中提高图像分辨率的双曝露方法。本发明包括：把要印刷在衬底上的所希望的图案分解成至少两个能够被光刻系统光学地分辨的组成子图案，利用在目标层之上的第一正性抗蚀剂层和相对薄的第二正性抗蚀剂层涂覆衬底，该目标层要用所希望的密集线图案构图。在第一构图曝露期间和在显影后、在第二构图曝露期间，第二抗蚀剂材料吸收曝露辐射，以防止在第二抗蚀剂材料层的已曝露部分下面的、该第一抗蚀剂材料的至少一部分曝露于高于与第一抗蚀剂层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 曝露 方法 机器 可读 媒体 | ||
【主权项】：
1、一种被构造和安排以使用光刻工艺构图的衬底，其中该衬底被曝露于辐射，包括：至少部分地覆盖该衬底的第一正性抗蚀剂的第一层；和第二正性可显影材料的第二层，其具有对该辐射的预先选择的吸收率且至少部分地覆盖该第一层，其中吸收率被安排为，在该第二层曝露于辐射期间：-防止在该第二正性可显影材料下面的第一正性抗蚀剂的至少一部分曝露于超出与第一层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量，和-提供该第二层的基本完全的光活化。
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