[发明专利]生产自支撑III－N层和自支撑III－N基底的方法有效
| 申请号： | 200610162841.8 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1988109A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | G·莱比格;F·哈贝尔;S·艾希勒 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种生产自支撑III－N层的方法，其中III表示至少一种元素周期表第III族的元素，选自Al、Ga和In，该方法包括：在Li(Al，Ga)Ox基底上通过分子束外延沉积至少一层第一III－N层，其中1≤x≤3。通过氢化物气相外延在第一III－N层上沉积厚的第二III－N层。在以这种方式生产的结构的冷却过程中，Li(Al，Ga)Ox基底完全或大部分从III－N层上剥落，或如果需要可以通过使用刻蚀液如王水除去残留物。提供了基本不含无控杂质且具有有利性质的自支撑III－N基底。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 支撑 iii 基底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产III-N层的方法，其中III代表至少一种元素周期表第III族的元素，选自Al、Ga和In，该方法包括步骤：a)在Li(Al，Ga)Ox基底上在第一温度下沉积第一III-N层，其中1≤x≤3；和b)在第一III-N层上在第二温度下沉积第二III-N层，其中选择第一和第二温度使得第一温度显著低于第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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