[发明专利]多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用无效
| 申请号： | 200610162878.0 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101153847A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李洪鲁 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;H05B33/10;H05B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李湘;陈景峻 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种测量多晶硅基片结晶度的方法包括：采用激光束辐照多晶硅基片来得到拉曼光谱曲线；以及利用公式根据拉曼光谱曲线来计算该多晶硅基片的结晶度：结晶度＝多晶峰的面积/(非晶峰面积+多晶峰面积)。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅基片 结晶度 测量方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种测量多晶硅基片的结晶度的方法，该方法包括：采用单色光辐照多晶硅基片来得到拉曼光谱曲线；以及利用下列公式，根据所述拉曼光谱曲线计算多晶硅基片的结晶度：结晶度＝多晶峰的面积/(非晶峰面积+多晶峰面积)。
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