[发明专利]用于注入键合衬底以便导电的方法和结构有效

专利信息
申请号: 200610162900.1 申请日: 2006-11-29
公开(公告)号: CN1992173A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: F·J·亨利 申请(专利权)人: 硅起源股份有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/20;H01L21/266;H01L23/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 刘佳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 部分完成的多层衬底,例如硅-硅。该衬底具有由第一衬底构成的一层材料。该层材料包括第一表面区。衬底具有第二衬底,它包括第二表面区的。较佳地是,该层材料的第一表面区接合到第二衬底的第二表面区。衬底具有形成于该层材料的第一表面区和第二衬底的第二表面区之间的界面区。将多个粒子注入到一部分该层材料和一部分界面区内以使一部分该层材料电耦合着一部分第二衬底。
搜索关键词: 用于 注入 衬底 以便 导电 方法 结构
【主权项】:
1.一种用于形成多层衬底的工艺,所述工艺包括:设置第一衬底,所述第一衬底包括一层将去除的材料,所述一层将去除的材料包括第一表面区;将所述第一衬底的第一表面区接合到第二衬底的第二表面区,以形成在所述第一衬底的第一表面区与所述第二衬底的第二表面区之间的界面区;从所述第一衬底去除所述一层材料,同时保持所述第一衬底的第一表面区和所述第二衬底的第二表面区的粘接;形成覆盖所述一层材料的表面区的掩模层以形成一部分所述一层材料的暴露区;将粒子注入所述暴露区并穿过一部分界面区以在所述部分界面区附近内形成粒子区,从而将所述部分的一层材料耦合到所述第二衬底以形成至少包括所述暴露区和一部分所述一层材料的注入区;以及;至少对所述注入区进行热处理工艺以使注入区结晶。
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