[发明专利]磁阻装置有效

专利信息
申请号: 200610162906.9 申请日: 2006-11-29
公开(公告)号: CN101089953A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 大卫·威廉姆斯;约尔格·翁德里;安德鲁·特鲁普;大卫·哈斯科 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;H01L43/08;G01R33/09
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 钟晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁阻装置(1)包括由硅形成的细长沟道。包含硅化钛的导体(6)是沿着沟道与沟道相连接,并且引线(81、82、83、84、85、86)在相反的边相连接并沿着隔离开。
搜索关键词: 磁阻 装置
【主权项】:
1.一种包括含非铁磁性半导体材料的沟道(2;27)的磁阻装置(1;26),所述沟道从第一端(3;28)延伸到第二端(4;29);导体(6;31)含有具有比半导体材料更高的电导率的非铁磁性材料,并且连接沟道的至少两个部分和多个引线(81、82、83、84、85、86;331、332、333、334),所述引线连接沟道并且沿着沟道间隔开来。
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