[发明专利]发光器件和磷光体无效
| 申请号： | 200610162993.8 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1976078A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 山本和重;清水达雄;羽根田茂 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光器件包括：有源层，包括具有四面体结构的母体半导体的原子A、替换晶格位置中所述原子A的异质原子D和插入到与所述异质原子D最邻近的间隙位置中的异质原子Z，所述异质原子D的价电子数与所述原子A的价电子数相差+1或－1，并且通过与所述异质原子D的电荷补偿，所述异质原子Z具有满壳层结构的电子组态；以及n电极和p电极，适于向所述有源层提供电流。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 磷光体 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：有源层，包括具有四面体结构的母体半导体的原子A、替换晶格位置中所述原子A的异质原子D和插入到与所述异质原子D最邻近的间隙位置中的异质原子Z，所述异质原子D的价电子数与所述原子A的价电子数相差+1，并且通过与所述异质原子D的电荷补偿，所述异质原子Z具有满壳层结构的电子组态；以及n电极和p电极，适于向所述有源层提供电流。
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