[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200610163036.7 申请日: 2006-11-27
公开(公告)号: CN1971932A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 佐藤誉;中井洁 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L27/105;H01L29/423;G11C11/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体存储装置,其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中,多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线,漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明,可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管,从而进一步增加有效栅极宽度。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:有源区,具有多个与源极线相连的源极区、以及多个与位线相连的漏极区;存储元件,连接在漏极区与位线之间;以及栅电极,形成在有源区上,其中栅电极包括:第一部分,形成在源极区与漏极区之间的、沿第一方向的边界上;第二部分,形成在源极区与漏极区之间的、沿不同于第一方向的第二方向的边界上,以及第一部分与第二部分是短路的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尔必达存储器股份有限公司,未经尔必达存储器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610163036.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top