[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 200610163036.7 | 申请日: | 2006-11-27 |
公开(公告)号: | CN1971932A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 佐藤誉;中井洁 | 申请(专利权)人: | 尔必达存储器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/105;H01L29/423;G11C11/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体存储装置,其中包括多个有源区、以及排列在每一个有源区上的呈鱼骨形状的栅电极。在每一个有源区中,多个源极区与多个漏极区以矩阵方式排列。源极区共同连接到源极线,漏极区的每一个与不同存储元件的下部电极相连。根据本发明,可以向一个存储元件分配并联的三个单元晶体管,从而进一步增加有效栅极宽度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:有源区,具有多个与源极线相连的源极区、以及多个与位线相连的漏极区;存储元件,连接在漏极区与位线之间;以及栅电极,形成在有源区上,其中栅电极包括:第一部分,形成在源极区与漏极区之间的、沿第一方向的边界上;第二部分,形成在源极区与漏极区之间的、沿不同于第一方向的第二方向的边界上,以及第一部分与第二部分是短路的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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