[发明专利]具有对数据进行存储的多个存储单元的半导体集成电路装置无效
申请号: | 200610163060.0 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN1975923A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 辻高晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 具有对数据进行存储的多个存储单元的半导体集成电路装置。一种半导体集成电路装置,具有:多个存储单元(MC),对数据进行存储;写入电流线(DL),配置在存储单元(MC)的附近或者与存储单元(MC)电连接;恒流发生电路(21A),输出电流具有温度依赖性;恒流发生电路(21B),输出电流具有与恒流发生电路(21A)的输出电流不同的温度依赖性;合成电路(22),对恒流发生电路(21A)的输出电流以及恒流发生电路(21B)的输出电流进行合成,并可变更输出电流的合成比例;写入电路(52),与写入电流线(DL)连接,基于合成电路(22)所合成的电流,使写入电流在写入电流线(DL)中流过,由此,将数据写入到存储单元(MC)。 | ||
搜索关键词: | 具有 数据 进行 存储 单元 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,具有:多个存储单元,对数据进行存储;写入电流线,配置在所述存储单元的附近或者与所述存储单元电连接;第一恒流发生电路,输出电流具有温度依赖性;第二恒流发生电路,输出电流具有与所述第一恒流发生电路的输出电流不同的温度依赖性;合成电路,对所述第一恒流发生电路的输出电流以及所述第二恒流发生电路的输出电流进行合成,并可变更所述输出电流的合成比例;写入电路,与所述写入电流线电连接,基于所述合成电路所合成的电流,使写入电流在所述写入电流线中流过,由此,将数据写入到所述存储单元。
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