[发明专利]低压低功率类A/B输出级有效

专利信息
申请号: 200610163074.2 申请日: 2006-11-30
公开(公告)号: CN1976218A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 李展陞 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03F3/21;H03F3/45;H03F1/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜娟
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种CMOS类A/B输出级,由于采用了输出驱动晶体管的次阈值偏置,所以提供了高运行速度、低电源电压需求以及低静态电流吸取的优势。所述输出级的体系结构使其尤其适用于诸如便携式仪器、烟雾探测器、传感器等等的对功率要求较高的应用中的运算放大器。
搜索关键词: 压低 功率 输出
【主权项】:
1.一种类A/B放大器输出级,包括:具有源极、栅极和漏极的第一输出驱动晶体管;具有源极、栅极和漏极的第二输出驱动晶体管,所述第一输出驱动晶体管的漏极耦合至所述第二输出驱动晶体管的漏极;耦合至所述第一输出驱动晶体管和所述第二输出驱动晶体管的第一高摆动共射-共基结构;耦合至所述第一输出驱动晶体管和所述第二输出驱动晶体管的第二高摆动共射-共基结构;其中所述第一高摆动共射-共基结构和所述第二高摆动共射-共基结构使所述第一输出驱动晶体管偏置到其次阈值工作区域,并且使所述第二输出驱动晶体管偏置到其次阈值工作区域。
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