[发明专利]光散射层、结结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610163113.9 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1979909A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金相侠 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L39/22;H01L39/24;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括纳米颗粒的用于电子器件的光散射层、包括所述光散射层的用于薄膜晶体管的结结构和及其形成方法。一种用于电子器件的光散射层包括含有由Si或金属构成的纳米颗粒的碳化物－半金属或碳化物－金属。在根据本发明实施例的用于薄膜晶体管的结结构内，在包括(ZnS) 1－x (SiC) x、W1－xCx、Ta1－xCx和Mo1－xCx的第一保护层和第二保护层之间插入光散射层，其中0＜x＜1。可以分别在第一保护层和光散射层之间以及散射层和第二保护层之间插置包括M1－y ((ZnS) 1－x (SiC) x) y、M1－y (W1－xCx) y、M1－y (Ta1－xCx) y和M1－y (Mo1－xCx) y的第一和第二帽盖层，其中，0＜x＜1、0＜y＜1，并且M为Si、Ta、W或Mo。在执行形成每一层的过程之后不破坏真空状态的情况下，就地依次形成所述层。 | ||
| 搜索关键词： | 散射 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子器件的光散射层，其包括具有碳化物-半金属或碳化物-金属的层，所述碳化物-半金属或碳化物-金属含有包括Si或金属的纳米颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院，未经韩国电子通信研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610163113.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
