[发明专利]具有岛状分布结构的半导体芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200610163133.6 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1976012A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 大汤静宪;青木茂 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分布 结构 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含硅衬底的半导体芯片，所述衬底具有半导体器件层和多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内设置所述半导体器件层，在背面即所述半导体硅衬底的另一面上的主表面区内设置所述多孔硅域层，所述多孔硅域层具有在所述半导体硅衬底背面内以岛状分布的多孔硅域。
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