[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

公开了CMOS图像传感器及其制造方法，该传感器能够通过增加浮动扩散区的结电容改善图像传感器的性能。CMOS图像传感器具有一个光电二极管，和转移、复位、驱动和选择晶体管，CMOS图像传感器包括第一导电型半导体衬底，在其上限定了一个包括光电二极管区、浮动扩散区和电压输入/输出区的有源区，通过在插入栅极绝缘层在半导体衬底的有源区上形成每个晶体管的栅电极，在对应于电压输入/输出区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第一阱区，在对应于浮动扩散区的半导体衬底的表面上形成第一导电型第二阱区，在每个栅电极两侧的半导体衬底的表面上形成的第二导电型扩散区。

主权项

1、一种CMOS图像传感器，其包括：一个光电二极管和转移、复位、驱动和选择晶体管，CMOS图像传感器包括：第一导电型半导体衬底，其上限定包括光电二极管区、浮动扩散区和电压输入/输出区的有源区；通过插入栅极绝缘层在半导体衬底的有源区上形成的每个晶体管的栅电极；在对应于电压输入/输出区的半导体衬底的表面上形成的第一导电型第一阱区；在对应于浮动扩散区的半导体衬底的表面上形成的第一导电型第二阱区；和在每个栅电极两侧的半导体衬底的表面上形成的第二导电型扩散区。