[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 200610163667.9 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN1975585A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 桥诘彰夫 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/00;H01L21/311 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够不给基板带来损伤而很好地剥离(除去)离子注入时作为掩模所使用的抗蚀膜的基板处理方法以及基板处理装置。在本发明的基板处理方法中,对基板的表面供给由有机溶剂和气体混合而得到的混合流体。然后,对基板的表面供给用于从该基板的表面剥离抗蚀膜的抗蚀膜剥离液。该基板处理装置具有:SPM喷嘴,其用于向被旋转卡盘保持的晶片的表面供给作为抗蚀膜剥离液的SPM;二流体喷嘴,其用于对被旋转卡盘保持的晶片的表面供给由有机溶剂和氮气混合而得到的混合流体。通过从二流体喷嘴向晶片的表面供给混合流体,从而在抗蚀膜表面的固化层被破坏之后,从SPM喷嘴向晶片的表面供给高温的SPM,来将抗蚀膜从晶片的表面剥离。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:混合流体供给工序,对基板的表面供给由有机溶剂和气体混合而得到的混合流体;抗蚀膜剥离液供给工序,在上述混合流体供给工序后,对基板的表面供给用于从该基板的表面剥离抗蚀膜的抗蚀膜剥离液。
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