[发明专利]二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法有效
| 申请号： | 200610163672.X | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1979816A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 维维克·沙巴拉曼尼恩;派崔克·史密斯 | 申请（专利权）人： | 高菲欧股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/822;H01L27/12;H01L27/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法。所述二极管制造方法包含下列步骤：在一衬底上形成一第一图案化半导体层，该第一图案化半导体层具有一第一导电型式；在该衬底上形成一第二图案化半导体层，该第二图案化半导体层具有一第二导电型式；在该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层以及该衬底上方形成一图案化绝缘层；以及在该图案化绝缘层上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层与该第一图案化半导体层以及该第二图案化半导体层电性接触。本发明有效利用NMOS薄膜晶体管的阈值电压与PMOS薄膜晶体管的阈值电压之间的偏离来建立及/或改善正向电压降的稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电路 及其 箝位 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补二极管的方法，该方法包含下列步骤：(a)在一衬底上形成一第一图案化半导体层，该第一图案化半导体层具有一第一导电型式；(b)在该衬底上形成一第二图案化半导体层，该第二图案化半导体层具有一第二导电型式；(c)在该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层以及该衬底上方形成一图案化绝缘层；以及(d)在该图案化绝缘层上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层与该第一图案化半导体层以及该第二图案化半导体层电性接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
