[发明专利]激光照射装置有效
| 申请号： | 200610163673.4 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1971849A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/14;B23K26/06;B23K26/42;B23K101/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由于传统的激光照射装置所用的排放气体的板的尺寸较大，并且在激光光线最后通过的光学系统与板之间的距离不足，因此很难检查从激光光线最后通过的光学系统传输的激光光线的状态。提供了一种激光照射装置，包括：激光振荡器、用于对激光振荡器产生的激光光线进行整形的光学系统、具有用于排放气体的开口的送风器、设置在送风器下面的台、在台上的用于在送风器与台之间保持恒定距离的构件、和设置在光学系统与送风器之间用于观测透射通过光学系统的激光光线的构件。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射装置，包括：激光振荡器；光学系统，用于对激光振荡器产生的激光光线进行整形；送风器，具有用于供应气体的开口；台，设置在送风器下面；支撑机构，用于在送风器与台之间保持恒定距离；和设置在光学系统与送风器之间的单元，用于观测透射通过光学系统的激光光线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
