[发明专利]半导体存储器件以及半导体存储器件的工作方法有效
| 申请号： | 200610163741.7 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971761A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 岩田周祐;黑川义元 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当在TFT等的晶体管特性不均匀以及从RF电路供给的电源不稳定的情况下制造SRAM时，在现有技术的一个存储单元具有六个晶体管的结构中，当读出时产生存储单元保持的值被改写的误写入。SRAM的存储单元通过使写入电路和读出电路分开，可以进行稳定的工作。此外，考虑写入的时序，由此，提供一种不产生误写入并可以更可靠地进行写入工作的SRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 以及 工作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：模拟开关；第一反相器；第二反相器；以及时钟反相器，其中：所述模拟开关的第一端子电连接到第一数据线，所述模拟开关的第二端子电连接到所述第一反相器的输入端子、所述第二反相器的输出端子、以及所述时钟反相器的输入端子，所述第一反相器的输出端于电连接到所述第二反相器的输入端子，所述时钟反相器的输出端子电连接到第二数据线，每个所述模拟开关和所述时钟反相器电连接到至少一个字线，并且电连接到所述模拟开关的所述字线不同于电连接到所述时钟反相器的所述字线。
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