[发明专利]具有脊的半导体激光二极管有效
| 申请号： | 200610163781.1 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101026288A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡程惠;沈钟寅;河镜虎;金奎相;柳汉烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括衬底和依次形成于所述衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极，其中，所述第二半导体层具有脊，以及所述电极形成于所述第二半导体层的所述脊上，所述电极的宽度小于所述脊的宽度。
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