[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

提供一种半导体器件的制造方法。在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、多个第二半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个相邻、多个第三半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个和该多个第二半导体集成电路的一个相邻、以及多个第四半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个、该多个第二半导体集成电路的一个、和该多个第三半导体集成电路的一个相邻。形成第一保护层以覆盖第一半导体集成电路和第一半导体集成电路外围的第二衬底的表面。分割第二衬底和保护层以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底留在第一半导体集成电路的外围。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、和多个第二半导体集成电路，其被设置以包围该多个第一半导体集成电路中的至少一个；粘附第二衬底以覆盖该多个第一半导体集成电路和该多个第二半导体集成电路；通过在第一衬底和第二衬底之间施加外力使第一衬底和第二衬底彼此分开，由此该多个第一半导体集成电路被转移到第二衬底；形成保护层以覆盖该多个第一半导体集成电路和在该多个第一半导体集成电路的外围的第二衬底的表面；以及将第二衬底和保护层分割以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底保留在该多个第一半导体集成电路的外围。