[发明专利]层的弛豫无效
| 申请号： | 200610163919.8 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1971850A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | N·达瓦尔;Z·萨热;R·拉尔德雷 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于电子学、光学或光电子学应用的弹性无应变晶体材料层的形成方法，其特征在于，该方法使用包括第一晶体层和第二晶体层的结构来实施，第一晶体层在拉力下(或分别在压力下)弹性应变以及第二晶体层在压力下(或分别在拉力下)弹性应变，第二层与第一层相邻，其中该方法包括在两层之间的扩散步骤以使两层各自成分间的差别逐渐地降低直到它们基本相同，然后这两层形成总体上具有均匀组成的晶体材料最终单层，其中最初选择这两层各自的组成、厚度和应变程度，以使得在扩散后构成最终层的材料总体上不再显示弹性应变。 | ||
| 搜索关键词： | 层的弛豫 | ||
【主权项】：
1、一种形成用于电子学、光学或光电子学应用的弹性无应变晶体材料层的方法，其特征在于，所述方法由包括在拉力下(或分别在压力下)弹性应变的第一晶体层和在压力下(或分别在拉力下)弹性应变的第二晶体层的结构实施，所述第二层与所述第一层相邻，所述方法包括在所述两层之间的扩散步骤以使所述两层各自组成间的差别逐渐降低直到它们基本相同，于是所述两层形成总体上具有均匀组成的晶体材料最终单层，并且最初选择所述两层各自的组成、厚度和应变程度，以使得扩散后构成最终层的材料总体上不再显示弹性应变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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