[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第2导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种MOS晶体管。本发明的集成电路包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第2导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第1导电类型杂质和第2导电类型杂质，第2导电类型杂质的浓度比第1导电类型杂质的浓度还高。

主权项

1、一种集成电路，其特征在于，包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；以及形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；上述耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管在上述沟道区具有为了调整阈值电压而注入第2导电类型杂质的注入区域，上述注入区域具有上述第1导电类型杂质和上述第2导电类型杂质，上述第2导电类型杂质的浓度比上述第1导电类型杂质的浓度还高。