[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610164099.4 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979691A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 石仓聪;赤松宽范;井东数雄;山上由展 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括：存储单元，具有其中提供给包括在锁存器部分中的负载晶体管108和111的源极的电位不同于提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个的电路结构；锁存器电位控制电路101用于根据施加到测试模式设定管脚102上的信号，对正常操作模式和测试模式进行相互切换；以及读出/写入控制电路103，用于在测试模式中的至少读出操作的任意时期，将提供给负载晶体管108和111的源极的电位控制为比提供给字线105的电位和提供给位线106和107的电位中的至少一个低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种用于利用字线和位线的电位改变在存储单元上存储信息的半导体存储器件，该半导体存储器件包括：存储单元，具有以下电路结构：提供给包括在锁存器部分中的负载晶体管的源极的电位不同于提供给所述字线的电位和提供给所述位线的电位中的至少一个；第一控制电路，用于根据施加到测试模式设定管脚上的信号，对正常操作模式和测试模式进行相互切换；以及第二控制电路，用于在所述测试模式中的至少读操作的任意时间内，将提供给所述负载晶体管的源极的电位控制为比提供给所述字线的电位和提供给所述位线的电位中的至少一个低。
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