[发明专利]对称阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200610164104.1 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1959991A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 埃利·鲁斯基;伯阿兹·埃坦 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储设备，其包括多个字线区域、氧化物－氮化物－氧化物(ONO)层和保护元件，每个字线区域通过接触区相互隔开，所述ONO层位于所述字线区域内并且至少部分地位于所述接触区内，当在外围区域中形成隔离层时生成所述保护元件，以保护在所述接触区中ONO层下的硅。本发明还提供一种非易失性存储设备，其包括多个字线区域和位线氧化物，每个所述字线区域通过接触区相互隔开，所述位线氧化物的高度是相邻位线氧化物之间距离的至少四分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储设备，其包括：多个字线区域，每个所述字线区域通过接触区相互隔开；氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层，所述ONO层位于所述字线区域内并且至少部分地位于所述接触区内；和保护元件；当在外围区域中形成隔离层时生成所述保护元件，以保护在所述接触区中的所述ONO层下的硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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