[发明专利]用于卡盘热校准的方法和仪器有效
| 申请号： | 200610164119.8 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1956146A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | K·W·加夫;N·M·P·本杰明 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G01K3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 移去晶片所暴露的热源后，测量作为时间函数的晶片温度。在晶片温度测量期间，在晶片和卡盘之间的界面处提供基本恒压的气体，晶片支撑于所述卡盘之上。与施加的气压相应的卡盘热特性参数值由作为时间函数的测得晶片温度确定。对于多个施加的气压测量晶片温度以形成一组作为气压函数的卡盘热特性参数值。卡盘的热校准曲线由该组测得卡盘热特性参数值和相应的气压生成。在制造工艺期间，卡盘的热校准曲线可以用来调整气压以得到具体的晶片温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 卡盘 校准 方法 仪器 | ||
【主权项】：
1.执行卡盘热校准的方法，包括：(a)将晶片保持在暴露于热源的卡盘上；(b)在晶片和卡盘之间的界面处施加基本上恒压的气体；(c)移去热源；(d)热源去除后，测量作为时间函数的晶片温度，同时维持施加的气压；(e)根据作为时间函数的测得晶片温度确定卡盘热特性参数值，其中测得卡盘热特性参数值对应于施加的气压；(f)对于多个不同的施加气压重复操作(a)到(e)；和(g)建立确定的卡盘热特性参数值和相应气压间的相关性，以形成卡盘的热校准曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
