[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610164166.2 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101009282A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 小山正人;市原玲华;土屋义规;上牟田雄一;西山彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80％；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80％；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
