[发明专利]一种堆叠非易失性存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610164205.9 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000895A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;吕函庭;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种堆叠非易失性存储设备，其包括多个彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术有效且经济地制造。此器件可配置为适用于与非(NAND)操作中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 非易失性 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造非易失性存储元件的方法，该器件包括依序形成于彼此之上的多个位线层以及多个字线层，该方法包括：形成第一位线层，其中该第一位线层的形成包括：形成半导体层于绝缘体上；图案化并蚀刻该半导体层，以形成多条位线；形成第一字线层于该第一位线层之上，其中该第一字线层的形成包括：依序形成第一陷获结构、导体层、以及第二陷获结构；以及图案化并蚀刻该第一与第二陷获结构以及该导体层，以形成多条字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
