[发明专利]用以解决电荷陷获非易失性存储器中难以擦除状态的方法有效
申请号: | 200610164207.8 | 申请日: | 2006-12-05 |
公开(公告)号: | CN1979875A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 徐子轩;施彦豪 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/792;G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种用来操作氮化物陷获存储单元以解决难以擦除状态的方法,其通过使用重置技术而消除或减少在结区域中央的电子数目。当进行如500或100次一连串编程与擦除循环之后而检测到难以擦除状态时,使用衬底瞬变热空穴(STHH)重置操作。此衬底瞬变热空穴重置注入的空穴远离带至带隧穿热空穴(BTBTHH)注入的结面,使得STHH重置在循环耐久度方面可以维持于理想的循环范围,以消除或减少在后续编程与擦除循环中难以擦除的状态。 | ||
搜索关键词: | 用以 解决 电荷 非易失性存储器 难以 擦除 状态 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用以解决在电荷陷获存储器中的难以擦除状态的方法,该电荷陷获存储器有栅极电压以及体电压,该方法包括:响应在电荷陷获存储器中经过多次编程以及擦除循环之后的状态,以进行衬底瞬变热空穴重置;以及进行该衬底瞬变热空穴重置,其通过将该电荷陷获存储器的临界电压调整至等于重置电压而完成,且该衬底的瞬变热空穴重置包括:施加具有一脉冲宽度的栅极电压;以及施加具有一脉冲宽度的体电压,其中该体电压的脉冲宽度短于该栅极电压的脉冲宽度;以及其中该栅极电压与该体电压二者的脉冲宽度的差异,足以将空穴从沟道区域移动至该电荷陷获存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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