[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，在半导体衬底上包括：由STI区包围的有源区；沿一个横切有源区的方向上形成的栅极沟槽；在栅极沟槽侧表面上形成的栅极绝缘膜；形成于栅极沟槽底部，并比栅极绝缘膜厚的绝缘膜；以及栅电极，具有在栅极沟槽中形成的至少部分栅电极。存在于有源区中，并沿栅极沟槽延伸方向位于栅极沟槽两侧的部分半导体衬底分别作为源极区和漏极区。位于有源区侧表面(STI区侧面)和栅极沟槽侧表面之间的那部分半导体衬底作为沟道区。

主权项

1.一种半导体器件，它包括：在半导体衬底上形成的浅沟隔离(STI)区；由STI区包围的有源区；沿横切有源区的预定方向形成的栅极沟槽；在栅极沟槽的侧表面上形成的栅极绝缘膜；形成于栅极沟槽的底部上，并且比栅极绝缘膜厚的绝缘膜；以及栅电极，至少一部分栅电极形成在栅极沟槽中，其中，存在于有源区中的所述半导体衬底具有相对于预定方向位于栅极沟槽两侧上的第一部分；以及位于STI区的侧表面和栅极沟槽的侧表面之间的第二部分，所述半导体衬底的第一部分用作源极区和漏极区，所述半导体衬底的第二部分用作沟道区。