[发明专利]多位闪存单元的制造方法无效
| 申请号： | 200610164293.2 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979788A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 郭哲尚 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多位闪存单元的制造方法。在该方法中，首先形成离子注入掩模，以暴露半导体衬底中的沟道区的一部分。在该暴露的区中注入离子，从而局部编码阈值电压，以产生一个具有第一阈值电压的注入离子的沟道区和具有第二阈值电压的未注入离子的第二区。在该沟道区上形成隧道介电层，并在该隧道介电层上形成浮置栅极和控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底的沟道区的第一部分中注入离子，而在所述半导体衬底的所述沟道区的第二部分中不进行离子注入；在所述沟道区上形成隧道介电层；以及在所述隧道介电层上形成浮置栅极和控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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