[发明专利]基板的分割方法有效
| 申请号： | 200610164346.0 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1983556A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 藤井义磨郎;福世文嗣;福满宪志;内山直己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;B23K26/00;B23K26/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板的分割方法，其特征在于，具有：在基板内部使聚光点聚合，并在聚光点的最大功率密度为1×108W/cm2以上、且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，在所述基板内部形成含裂口领域的调质领域，利用该调质领域，在距所述基板的激光入射面规定距离内侧，沿所述基板的切割预定线，形成切割起点领域的工序；和在形成所述切割起点领域的工序后，研磨所述基板至规定的厚度的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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