[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法无效
| 申请号： | 200610164521.6 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101005031A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 冈信介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/00;C23C16/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其具有一腔室，其中，该腔室被载置台和挡板分隔为对被处理体实施等离子体处理的处理室和排放出气体的排气室，其特征在于：通过控制所述载置台或者所述挡板中的任何一个，使得在所述腔室的内壁表面上形成预涂膜时，以使所述处理室的压力和所述排气室的压力接近的方式改变所述载置台和所述腔室侧壁之间的开口率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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