[发明专利]制造磁致伸缩转矩传感器的方法有效
| 申请号： | 200610164628.0 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1959359A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 原田仁;吉本信彦;星智弘;樫村之哉 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | G01L3/04 | 分类号： | G01L3/04;G01L3/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造具有低不均匀性灵敏度特性的磁致伸缩转矩传感器的方法。首先测量转矩传感器(10)的旋转轴(11)中的残余奥氏体含量。磁性薄膜在热处理条件下承受热处理，对于每个测量到的残余奥氏体含量来说，该热处理条件不同，并且赋予磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 伸缩 转矩 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造磁致伸缩转矩传感器的方法，包括：测量旋转轴(11)的残余奥氏体含量；在旋转轴(11)上形成磁致伸缩薄膜；以及基于与在残余奥氏体含量测量中所获得的测量信息相一致的热处理条件，赋予磁致伸缩薄膜磁各向异性。
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