[发明专利]气体注射装置无效
申请号: | 200610164846.4 | 申请日: | 2006-12-06 |
公开(公告)号: | CN101197271A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 王志升 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵镇勇 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体注射装置,包括喷嘴,喷嘴设置在反应腔室的上盖板的安装孔中,包括中心气体通道和周边气体通道,安装孔的上部与喷嘴紧配合,中部与喷嘴之间形成密封空腔,密封空腔的上部与周边气体通道相通,下部与反应腔室相通。气体通道不是完全设置在喷嘴上,而是一部分气体通道由喷嘴与上盖板配合而成。使喷嘴的结构简单、易于加工,密封空腔对气体起到稳流和缓冲的作用,有利于气体分布均匀性。尤其适用于半导体晶片加工设备的供气系统中,也适用于其它场合的供气。 | ||
搜索关键词: | 气体 注射 装置 | ||
【主权项】:
1.一种气体注射装置,用于向反应腔室供气,包括喷嘴,所述反应腔室上设有安装孔,所述喷嘴设置在安装孔中,其特征在于,所述的喷嘴上设有多条气体通道,所述的多条气体通道包括中心气体通道和周边气体通道,所述中心气体通道设于喷嘴的中部,所述周边气体通道设于喷嘴的边缘部位;所述的安装孔的上部与喷嘴紧配合,中部与喷嘴之间形成密封空腔;所述密封空腔的上部与周边气体通道相通,下部与反应腔室相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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