[发明专利]具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法无效
申请号: | 200610164880.1 | 申请日: | 2006-12-07 |
公开(公告)号: | CN101195743A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 胡良均;陈涌海;叶小玲;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C09K11/74 | 分类号: | C09K11/74 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构,包括:一衬底;一缓冲层,该缓冲层沉积在衬底,它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来;一绝缘层,该绝缘层沉积在缓冲层上;一量子点注入层,该量子点注入层沉积在绝缘层30上,它具有良好的发光性质;一表面盖层,该表面盖层沉积在量子点注入层上。 | ||
搜索关键词: | 磁性 mninas gaas 量子 样品 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构,其特征在于,包括:一衬底;一缓冲层,该缓冲层沉积在衬底,它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来;一绝缘层,该绝缘层沉积在缓冲层上;一量子点注入层,该量子点注入层沉积在绝缘层30上,它具有良好的发光性质;一表面盖层,该表面盖层沉积在量子点注入层上。
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