[发明专利]氧化物p－i－n结器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200610164954.1 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101197396A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵柏儒;袁洁;吴昊;曹立新;许波;赵力;金魁;朱北沂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/82;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物p－i－n结器件及其制备方法，该器件包括衬底，在衬底之上形成的p型氧化物层，在p型氧化物层上形成的n型氧化物层，以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化物层之间的铁电体势垒层；n型氧化物层和铁电体势垒层两层设置在的p型氧化物层的一侧，其占p型氧化物层面积的1/3～2/3，其余部分作为p型氧化物层的引出端；n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端，在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘；p型氧化物层和n型氧化物层均为金属性的；本发明的器件制备方法简单，结构易于实现，实现了单一器件功能的多样化。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物p-i-n结器件，包括衬底，在衬底之上形成的p型氧化物层，在p型氧化物层上形成的n型氧化物层，以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端；其特征在于：还包括夹在所述p型氧化物层和所述n型氧化物层之间的铁电体势垒层；所述n型氧化物层和所述铁电体势垒层两层设置在所述的p型氧化物层的一侧，其占p型氧化物层面积的1/3～2/3，其余部分作为p型氧化物层的引出端；所述n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端，在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘；所述p型氧化物层和所述n型氧化物层均为金属性的。
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