[发明专利]一种导电负热膨胀陶瓷无效
| 申请号： | 200610165031.8 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1974480A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 邢献然;李璐;孙策;刘桂荣 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01B1/06 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 吕中强 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种导电负热膨胀陶瓷，属于无机非金属材料领域，特别涉及一种能够在400～700℃范围内使用的且具有导电性能负热膨胀陶瓷。其特征在于利用高温固相法制备Zr1－xYbxW2O8、0.0≤x≤0.1，初始原料为ZrO2、WO3以及Yb2O3；按照Zr1－xYbxW2O8称取符合化学剂量比的ZrO2、WO3以及Yb2O3，称量后的样品在乙醇溶液中球磨1～24小时，球磨后的粉体压制成片，在1100～1300℃温度范围内煅烧1～48小时，淬冷至室温，淬冷后的产物在乙醇溶液中球磨1～24小时后，压制成片，在1100～1300℃温度范围内烧结1～24小时，冷却后的样品即为具有导电性能的负膨胀材料Zr1－xYbxW2O8。本发明化合物合成方法简易，在很宽的温度范围内具有负膨胀特性，同时该化学物在400℃电导率增加到半导体区间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 热膨胀 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种导电负热膨胀陶瓷，其特征在于利用高温固相法制备Zr1-xYbxW2O8、0.0≤x≤0.1，初始原料为ZrO2、WO3以及Yb2O3；按照Zr1-xYbxW2O8称取符合化学剂量比的ZrO2、WO3以及Yb2O3，称量后的样品在乙醇溶液中球磨1～24小时，球磨后的粉体压制成片，在1100～1300℃温度范围内煅烧1～48小时，淬冷至室温，淬冷后的产物在乙醇溶液中球磨1～24小时后，压制成片，在1100～1300℃温度范围内烧结1～24小时，冷却后的样品即为具有导电性能的负膨胀材料Zr1-xYbxW2O8。
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