[发明专利]一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法无效
| 申请号： | 200610165081.6 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1971868A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李斌成;张希仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法，其特征在于：一束光子能量大于本征半导体禁带宽度的光强周期性调制的连续激光作泵浦光源和另一束光子能量小于本征半导体禁带宽度的连续激光作探测光源；两束光同时照射到掺杂半导体上同一或相邻位置；半导体吸收泵浦光后产生调制的自由载流子；由于调制的自由载流子对探测光的吸收，透过半导体或者从后表面反射的探测光强度也被调制，以锁相方式探测透射或反射的探测光信号的一次谐波振幅和相位，由其振幅和/或相位通过标定得到掺杂半导体的掺杂浓度。本发明具有测量范围大、测量精度和灵敏度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自由 载流子 吸收 技术 半导体 掺杂 浓度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法，其特征在于：(1)将一束光子能量大于本征半导体禁带宽度的光强周期性调制的连续激光，即泵浦光和一束光子能量小于本征半导体禁带宽度的连续激光，即探测光同时照射到掺杂半导体上同一或相邻位置；由光电探测器探测透过掺杂半导体或者从其后表面反射的探测光强度变化，得到输出电流或电压信号；(2)采用锁相放大器记录输出电流和/或电压信号一次谐波的振幅或相位，比较待测掺杂半导体和标准掺杂半导体的振幅和/或相位，得到待测掺杂半导体的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610165081.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
