[发明专利]在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法

摘要

本发明公开了属于微加工技术和微型检测器件范围的一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法。其特征在于：所述传感器采用SOI(绝缘体上硅)硅片制备，即在所述SOI硅片的上层硅中制备单晶硅压阻敏感器件，采用硅的横向干法刻蚀工艺从正面释放所述微悬臂梁使其悬空。本发明采用SOI硅片、利用各向同性干法刻蚀工艺从正面释放微悬臂梁结构，制作工艺简单易行，成品率高；由SOI硅片上层硅制备单晶硅材料的压阻敏感器件，压阻系数大，可显著提高传感器的灵敏度。

主权项

1.一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法，其特征在于，按制造顺序包括以下步骤：1)以SOI硅片作制备传感器的衬底材料，该SOI硅片由下层硅基体、原有氧化层和上层硅构成；2)对所述SOI硅片进行光刻，采用离子注入方式在所述SOI硅片的上层硅中形成作为敏感器件的压敏电阻，采用反偏P-N结将所述压敏电阻与所述SOI硅片的上层硅绝缘；或者利用集成电路制造工艺在所述SOI硅片上层硅中制作MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)作为敏感器件；3)淀积二氧化硅作为绝缘层，并光刻刻蚀出金属连线接触孔，在硅片绝缘层表面溅射金属，经光刻和刻蚀形成所述敏感器件的金属连线，并淀积氧化硅作为钝化层；4)对硅片进行光刻，依次刻蚀表面形成微悬臂梁图形，露出SOI硅片的下层硅基体表面；5)采用各向同性反应离子刻蚀工艺对步骤4)中的露出SOI硅片的下层硅基体进行横向刻蚀，从硅片正面释放微结构使其悬空，即形成所述微悬臂梁。