[发明专利]一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610165224.3 申请日: 2006-12-14
公开(公告)号: CN1973831A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 张慧;邹亢;盘登科 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: A61K9/20 分类号: A61K9/20;A61K9/48;A61K31/196;A61K47/02;A61P29/00
代理公司: 北京科大华谊专利代理事务所 代理人: 刘月娥
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠及其制备方法,属于水滑石材料技术领域。磁性双氯芬酸钠的化学式为:(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK)a(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4。其制备是先采用共沉淀法方法制备纳米级磁性核,将该磁性核与相应的盐溶液混合,再利用共沉淀法将双氯芬酸钠组装入水滑石层间,同时得到含有磁性核的双氯芬酸钠插层水滑石。优点在于:制备了一种新的磁性超分子插层结构双氯芬酸钠缓释剂型;由于双氯芬酸钠插层在水滑石层间,可以增强其稳定性,并提高其生物利用度;可以通过外加磁场达到提高分散性和靶向定位的效果;可实现对磁性药物的结构、组成、磁性大小、释放量和释放持效期的调控。
搜索关键词: 一种 磁性 分子 结构 缓释型双氯芬酸钠 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠,其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,其特征在于:化学式为:(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)α(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4 ;其中(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O简写为DIK-LDHs,M’Fe2O4为磁性物种,DIK-LDHs为包覆在M’Fe2O4外的双氯芬酸钠插层水滑石;其质量百分含量为:M’Fe2O4:1%~10%;DIK-LDHs:90%~99%,其中,DIK:40%~60%;M2+为二价金属离子Zn2+、Mg2+中的任何一种;N3+为三价金属离子Al3+、Fe3+中的任何一种;M’为Mg2+、Ni2+二价金属离子其中的任何一种,M2+与M’相同或不同;DIK- 代表层间一价布洛芬阴离子;Bn-为荷电量为n的无机阴离子,DIK-LDHs化学式中Bn-可以不存在或为CO3 2-、NO3 -中的1~2种;x=N3+/(M2++N3+),0<x<1;a、b分别为DIK-、Bn-的数量,且满足a+n×b=x,m为结晶水数,0<m<5,k为M’Fe2O4分子系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学,未经北京化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610165224.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top