[发明专利]纳米晶硅金属箔膜太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 200610165384.8 | 申请日: | 2006-12-19 |
公开(公告)号: | CN1976063A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 王天棋;王宏春 | 申请(专利权)人: | 王宏春 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曾永珠 |
地址: | 100029北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种纳米晶硅金属箔膜太阳电池,包括:晶硅箔膜片,所述晶硅箔膜片以金属箔膜为基底,在基底上均匀涂敷有纳米晶硅层;位于晶硅箔膜片上方的TPT低铁绒面玻璃罩壳;支撑晶硅箔膜片的聚氨酯胎垫;支撑胎垫的金属底板;置于箔膜片和胎垫四周的金属边框。其制备工艺如下:对金属箔膜进行表面粗糙度处理;将胶粘剂均匀喷涂在箔膜表面;将纳米晶硅均匀喷涂到箔膜表面的胶粘剂上;将箔膜进行固化处理;剪裁出所需规格尺寸的晶硅箔膜片;将晶硅箔膜片置于由金属底板支撑的聚氨酯胎垫上;用金属边框对晶硅箔膜片和胎垫进行封边;将玻璃罩壳配上密封胶带置于边框上,抽真空后密封保存。本发明所用硅材料显著减少,有潜力取替传统的晶硅切片太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 纳米 金属 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米晶硅金属箔膜太阳电池,其特征在于包括:晶硅箔膜片,所述晶硅箔膜片以金属箔膜为基底,在基底上均匀涂敷有纳米晶硅层;置于晶硅箔膜片两端的正负电极;位于晶硅箔膜片上方的TPT低铁绒面玻璃罩壳;支撑晶硅箔膜片的聚氨酯胎垫;支撑聚氨酯胎垫的金属底板;置于晶硅箔膜片和聚氨酯胎垫四周的金属边框。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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