[发明专利]一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置

摘要

一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。

主权项

1.一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，包括一金属卤化物供应炉和一氢化物气相外延炉；其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道，通入卤族氢化物或者卤族元素等反应气体或者氮气、氦气、氩气、氢气等载气；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种，使卤族氢化物或者卤族元素与供应炉内的金属反应生成金属卤化物的反应气体，或者直接放置经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带后进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物薄膜、厚膜或者单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。