[发明专利]一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置无效
| 申请号： | 200610165541.5 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101205627A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;刘喆;钟兴儒;魏同波;马平;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化物 衬底 氢化物 外延 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在外延生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，内放置金属源，位于外延生长室内，衬底装置下方，至少一反应气体管道通入金属反应源放置器内，以通入卤族氢化物或者卤族气体并与金属反应源放置器中的金属源反应生成金属卤化物；至少一载气管道通过外延生长室下端面的底盘进入外延生长室内部，通过该载气管道携带氮源气体进入外延生长室，在衬底装置下方混合，并向上流动到衬底装置上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集氢化物气相外延反应的副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置，环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统，用以控制载气的开关、流量和压力，控制加热装置的温度和升降温速度、控制衬底装置的旋转速度，并进行实时记录。
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